登録研究設備・機器
種類別
キャンパス別
部局別
研究設備・機器
クリーンルーム内設備・装置
HNCD-4-SL #1（日立プラント）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
HNCD-4-SL #2（日立プラント）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
HNCD-4-SL #3（日立プラント）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
HNCD（日立プラント）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
200SP（エス・イー・エス）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
FPA3000-EX3（キヤノン）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
Mark8（東京エレクトロン）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
EMA-400（ユニオン光学）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
EXCEED2300AH（日新イオン機器）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
東京エレクトロン BEOL炉（α-8SE）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
RLSA 2B（東京エレクトロン）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
Formula（東京エレクトロン）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
LT-PECVD（東京エレクトロン）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
PYROX-216E（TEMPRESS）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
（東京エレクトロン）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
金属薄膜用洗浄装置（リアライズ ・アドバンストテクノロジ）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
（リアライズ・アドバンストテクノロジ）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
CABL-9520CE（クレステック）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
RLA-1208-V（光洋サーモシステム）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
VD-8-300S（V&Hテクノロジーズ）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
IZU-2500H（和泉テック）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
（和泉テック）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
（リアライズ ・アドバンストテクノロジ）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
SEA1000A（日立ハイテクサイエンス（エスアイアイ・ナノテクノロジー））〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
WM2500（トプコン）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
X'pert MRD（PANalytical/Spectris）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
UVISEL/M200-VIS（堀場製作所）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
ARK-LIPS（ナガセ電子機器（ナガセテクノエンジニアリング））〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
WXS-90S-L2（ワコム電創）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
JSM-6700F（日本電子）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
MX50（オリンパス）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
VR-120S（国際電気アルファ（日立国際電気））〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
DECTAK（Bruker Nano）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
S300M-973（ベクターセミコン）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
[167] マニュアルプローバ cascade 8inch,1/fノイズ計測システム付
SQ-S11861B（Cascade Microtech）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
MH4000（NEC三栄）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
（n&k Technology）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
CVmap92A（雄山）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
N9455A（サカタ理化学）〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
エア・ウォーター VCE-S2103TH〔設置部局：工学研究科〕
[245] シリコン酸化皮膜形成用O3･TEOS/CVD装置 〔リンク〕
ユーテック〔設置部局：工学研究科〕
サムコ PD-220NL〔設置部局：工学研究科〕
SUSS MicroTec MA8 Gen3 Thu1〔設置部局：工学研究科〕
Zygo Nexview 【仕様・特徴】表面形状の精密測定、高さ方向の分解能・精度は0.1nm以下 最大150mm角の大きさに対応〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
[735] エリオニクス 50kV EB描画装置 〔リンク〕
エリオニクス ELS-7500EXTK 【仕様・特徴】最大加速電圧：50keV〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
国際電気 【仕様・特徴】Epipoly-Si(non-doped, doped)、Poly-Si(non-doped, doped)、最高温度：1100℃〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
Bruker社 D8 DISCOVER 【仕様・特徴】サンプルサイズ：小片～6インチ、X線回折測定、1000℃までの高温環境での測定可能〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
住友精密 MUC-21 【仕様・特徴】Siの深堀エッチング、メカニカルチャック〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
[253] 光洋サーモシステム(株)製 ランプアニールシステム 〔リンク〕
光洋サーモシステム RLA-1208-V〔設置部局：工学研究科〕
[257] TEOS PECVD システム 一式 〔リンク〕
サムコ PD-100ST〔設置部局：工学研究科〕
[260] 光洋サーモシステム(株)製 横型システム 一式 〔リンク〕
光洋サーモシステム 272A-M200〔設置部局：工学研究科〕
芝浦メカトロニクス CFS-4ESII 【仕様・特徴】基板ステージφ200mm、3インチターゲット×3、基板加熱形（最高300℃）〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
アルバック IMX-3500〔設置部局：医工学研究科〕
アルバック NE-550〔設置部局：医工学研究科〕
東栄科学産業 WAF3000〔設置部局：電気通信研究所〕
大亜真空〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
ワコム研究所 Doctor-T 【仕様・特徴】PZT成膜等〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
[342] エリオニクス 130kV EB描画装置 〔リンク〕
エリオニクス ELS-G125S 【仕様・特徴】最大加速電圧：130keV、最小描画パターン：10nm以下〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ディスコ DAS8920 【仕様・特徴】Au、Cuバンプの平坦化〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
コムスキャンテクノ ScanXmate-D160TS110〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
日立ハイテクノロジーズ S-3700N型・堀場製作所 EMAX Energy 【仕様・特徴】EDX付、低真空モード付、光学画像ナビゲーション付〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
インサイト IS-350型 S-U 【仕様・特徴】デバイス内部の非破壊検査、ウェハ接合面の欠陥、ボイド評価等〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
全協化成工業 【仕様・特徴】研磨後のウェハ洗浄〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
KEYENCE VHX-1000 【仕様・特徴】パターン観察、デジタル画像保存、電動ステージ（PC制御可）、20～200倍、500～5000倍〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ユーテック 21-0604 【仕様・特徴】金属用(DC)スパッタチャンバ、酸化物用(RF)スパッタチャンバ、酸素加圧アニールチャンバの3つの チャンバで構成。最高基板温度は700℃。主にPZT下地成膜、PZT成膜用。〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
SUSS Micro Tec SUSS MA6/BA6 SPEC TOU-2【仕様・特徴】コンタクト露光、片面・両面アライメント、接合時のアライメント〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
テクノファイン ALK-600 【仕様・特徴】アルミナ等のALDが可能。6インチウェハまでの導⼊が可能。アルミナ以外は、要原料。〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
立山マシン TEP-01C1 【仕様・特徴】磁気エンハンスト型RIE装置〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
Primaxx uEtch Module TO-α 【仕様・特徴】気相フッ酸による主にSiO2犠牲層エッチング〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
芝浦メカトロニクス CFS-4ES-C.T. 【仕様・特徴】基板ステージφ200mm、3インチターゲット×3、基板冷却型〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
アサイラム テクノロジー〔設置部局：工学研究科〕
〔設置部局：工学研究科〕
パナソニックファクトリーソリューションズ E620R&D特型〔設置部局：流体科学研究所〕
日本エアーテック PCB02-774522T6〔設置部局：AIMR〕
アズワン PSH1200【仕様・特徴】酸洗浄、ウェットエッチング（Si, SiO2など）〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
【仕様・特徴】SiNウェットエッチング〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ヤマト科学 DN63H 【仕様・特徴】N2雰囲気中での熱処理、Alシンタリングなど〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ヤマト科学 DP-31 【仕様・特徴】真空中での熱処理〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
東邦化成 ZAA-4 【仕様・特徴】平置き式でウェハやフォトマスクの乾燥〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
【仕様・特徴】有機洗浄、レジスト剥離〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
SEMITOOL PSC101 【仕様・特徴】カセット式で1度に25枚まで処理可能〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
SEMITOOL PSC101 【仕様・特徴】カセット式で1度に25枚まで処理可能〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ミカサ 1H-DXII 【仕様・特徴】レジスト等のスピンコーティング〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ヤマト科学 DE62 【仕様・特徴】ウェハのベーク〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ヤマト科学 DN43H 【仕様・特徴】N2雰囲気中でのポリイミドのキュア〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
【仕様・特徴】レジスト現像用のドラフトチャンバー〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ウシオ電機 UMA-802 【仕様・特徴】レジストのキュア、カセットtoカセット〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
アクテス ASC-4000 【仕様・特徴】レジスト等のスピンコーティング〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
アクテス ADE-3000S 【仕様・特徴】現像液とリンス（水）をノズルから噴霧〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ハイデルベルグ・インストルメンツ DWL2000CE 【仕様・特徴】波長：405nm、最小描画線幅：0.7µm、マスク作製（Cr、エマルジョン）、直接描画、グレイスケール露光〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
東北電子産業 【仕様・特徴】球面体（直径1.0、3.3mm）へのマスクレス露光、最小パターン：1.5µmハーフピッチ、アライ メント精度：±5µm〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】酸化膜形成、半導体ウェハ用〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】酸化膜形成、MEMSウェハ用〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】P拡散（プリデポ用）〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】P拡散（ドライブイン用）〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】B拡散（プリデポ用）〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】B拡散（ドライブイン用）〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】イオン注入後のアニール〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
日新イオン機器 NH-20SR 【仕様・特徴】最大加速電圧：180keV、最大電流：0.6mA、注入可能元素：P、B、カセットtoカセット〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
AG Associates AG4100 【仕様・特徴】最高温度：1100℃、昇温速度：100℃／sec、カセットtoカセット〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
光洋リンドバーグ Model270 【仕様・特徴】最高温度：1000℃、メタルや圧電基板等の多用途拡散〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
システムサービス 【仕様・特徴】SiN〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
システムサービス 【仕様・特徴】Poly-Si〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
システムサービス 【仕様・特徴】SiO2（NSG）、SiON〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
Applied Materials P-5000 【仕様・特徴】タングステン成膜〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
アネルバ SPF-730 【仕様・特徴】1バッチ9枚（4インチ）、8インチターゲット×3〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
アネルバ EVC-1501 【仕様・特徴】主に金属薄膜の蒸着〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
テクノファイン PZ-604 【仕様・特徴】PZT成膜〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
山本鍍金試験器 【仕様・特徴】Cu、Ni、Sn、Au〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
日本生産技術研究所 VDS-5600 【仕様・特徴】SiN、SiO2、バッチ式：4インチ×13枚、6インチ×8枚〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
住友精密 MPX-CVD 【仕様・特徴】TEOS SiO2、SiN、最高温度：350℃、低応力SiN成膜〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
芝浦メカトロニクス i-Miller CFS-4EP-LL 【仕様・特徴】基板ステージφ220mm、3インチターゲット×4、基板加熱形（最高300℃）、ロードロック付、自動搬送付〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
和泉テック 【仕様・特徴】球面体（直径1.0、3.3mm）へのスパッタリング、膜種：Au、Cr、Al、Pd、SiO2他、O2プラズ マクリーニング可〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
住友精密 MUC-21 【仕様・特徴】Siの深堀エッチング、メカニカルチャック〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
STS 【仕様・特徴】Siの深堀エッチング、メカニカルチャック〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
アネルバ DEA-506 【仕様・特徴】SiN、SiO2のドライエッチング、ガス：CF4、CHF3〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
アネルバ L-507DL 【仕様・特徴】Siのドライエッチング、ガス：SF6〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
芝浦エレテック HIRRIE-100 【仕様・特徴】AlやSiのドライエッチング、カセットtoカセット、ガス：Cl2、BCl3〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
アルバック UNA-2000 【仕様・特徴】2.45GHｚ、カセットtoカセット〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ブランソン IPC4000 【仕様・特徴】13.56MHｚ〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
アルバック RIH-1515Z 【仕様・特徴】金属膜や圧電膜も対象とした多目的のドライエッチング、ガス：Cl2、BCl3、SF6、CF4、CHF3、Ar、N2、O2〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
【仕様・特徴】Si結晶異方性エッチング〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
【仕様・特徴】Si結晶異方性エッチング〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
住友精密 MUC-21 【仕様・特徴】Siの深堀エッチング、静電チャック、最大8インチ〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
エヌ・エス／伯東 20IBE-C 【仕様・特徴】Arイオン、4インチ×6枚、6インチ×3枚〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
アルバック NE-550 【仕様・特徴】SiO2などのドライエッチング、静電チャック、ガス：CF4、CHF3、SF6、Ar、O2、N2、（Cl2、BCl3）〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
芝浦エレテック CDE7 【仕様・特徴】ラジカルによる低ダメージのシリコン等方性ドライエッチング、DRIE後のスキャロップ除去、ガス：CF4、O2、N2〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ヤマト科学 PDC-210 【仕様・特徴】O2またはArによるウェハ表面のプラズマクリーニング、レジストアッシング〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
Suss SB6e 【仕様・特徴】陽極接合、金属接合、ポリマー接合〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
東京精密 【仕様・特徴】切削水：純水〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
West Bond 【仕様・特徴】Al、Au〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
GSIルモニクス WM-II 【仕様・特徴】ウェハのマーキング〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
BNテクノロジー Bni62 【仕様・特徴】Si、SiO2、金属などの研磨、CMP〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
BNテクノロジー Bni52 【仕様・特徴】Si、SiO2、金属などの研磨、CMP〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
EVG 520 【仕様・特徴】熱圧着接合用〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
EVG Smart View Aligner 【仕様・特徴】IR透過アライメント可能〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
東芝機械 ST-50 【仕様・特徴】UV光を用いたインプリント装置、ステップ&リピート可能〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
オリジン電気 Reprina-T50A 【仕様・特徴】最大650℃、最大30kN〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
デアネヒステ EXC-1201-DN 【仕様・特徴】ウェハや石英モールド上の有機物の除去〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
トプコン WM-3 【仕様・特徴】ウェハ上のパーティクル測定（数、大きさ）〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ナノメトリクス NanoSpec3000 【仕様・特徴】光学式の膜厚測定〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
Dektak Dektak 8 【仕様・特徴】触針式の表面形状測定〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
Tenchor AlphaStep 500 【仕様・特徴】触針式の表面形状測定〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ユニオン光学 Hisomet 【仕様・特徴】光学式の非接触深さ測定装置〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ナノメトリクス NanoSpec3000 【仕様・特徴】ウェハ抵抗率などの測定〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
Solid State Measurements SSM150 【仕様・特徴】不純物濃度プロファイルの測定、ウェハを小片にして端面を斜め研磨した後に測定〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
東京精密 EM-20A 【仕様・特徴】デバイスの電気特性測定〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
ニコン L150 【仕様・特徴】パターン観察〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
日立ハイテクノロジーズ S5000 【仕様・特徴】小片専用、インレンズ式の高分解能FESEM〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
アルバック 【仕様・特徴】薄膜の厚さ、屈折率測定〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
オリンパス/浜松ホトニクス 【仕様・特徴】両面アライメントの確認、ウェハ接合面のボイド評価等〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
キヤノンアネルバ M-101QA-TDM 【仕様・特徴】プロセス中の残留ガスのモニタ等〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
CAMECA TOF SIMS IV 【仕様・特徴】二次イオン質量分析装置、深さ方向の微量元素分析〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
サンユー電子 SC-701MｋII 【仕様・特徴】SEM観察試料のPtコーティング〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
フォトニックラティス SE-101 【仕様・特徴】高速サンプリング可能なエリプソ〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
レーザーテック OPTELICS HYBRID LS-SD 【仕様・特徴】3次元表面形状測定、DeepRIEのエッチ深さ測定、レーザ光／白色の切替可能、共焦点／非共焦点の切替可能〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
[511] 直線集束ビーム超音波材料解析システム#1 〔リンク〕
【仕様・特徴】固体試料の漏洩弾性表面波(LSAW)速度測定〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
[512] 直線集束ビーム超音波材料解析システム#2 〔リンク〕
【仕様・特徴】固体試料のバルク波（縦波、横波）音速測定〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
SUSS Micro Tec SB-6e〔設置部局：工学研究科〕
システムサービス [設置部局：電気通信研究所]
アネルバ [設置部局：電気通信研究所]
[594] ナノ・スピンメタルスパッタリングシステム（3FCR)
アネルバ EVP-38877 [設置部局：電気通信研究所]
アネルバ [設置部局：電気通信研究所]
日本シード研究所 ESE-09 [設置部局：電気通信研究所]
アルバック CE-300I 【仕様・特徴】SiO2、メタル、サファイアなどの多目的ドライエッチング、静電チャック、ガス：CF4、CHF3、SF6、Ar、O2、N2、Cl2、BCl3 [設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター]
アネルバ SPC-350 【仕様・特徴】1バッチ最大6枚搭載可能（回転機構付）、6インチターゲット×3（DC×2、RF×1：同時放電可能）、基板加熱形（最高650℃）、強磁性体対応、ロードロック付、クライオポンプ [設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター]
Heidelberg Instruments MLA150tt 【仕様・特徴】波長：405nm、最小描画線幅：1.0µm、高速直接描画、裏面アライメント可能、最大200mm角〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
住友精密 MPX-CVD 【仕様・特徴】SiN、SiO2、最高温度：350℃、低応力SiN成膜〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
〔設置部局：未来科学技術共同研究センター〕
エリオニクス EIS-200ERP-NPD-TK 【仕様・特徴】 基板サイズ 小片～6インチ、ターゲット数 2、ターゲット‐ステージ間距離 150mm、コリメータ付、エッチング可〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
住友精密 APX-Cetus 【仕様・特徴】 TEOS SiO2、SiN、基板サイズ 小片～8インチ、最高温度 350℃、低応力SiN成膜 〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
キヤノン FPA-3030i5+ 【仕様・特徴】 基板サイズ 小片～8インチ、最小線幅 0.35μm以下、重ね合せ精度 40nm、両面アライメント対応、透明基板対応、反り基板対応、Nikonレチクル対応 〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
SUSS ACS200 Gen3 【仕様・特徴】 基板サイズ 2～8インチ、HMDS処理、コート 3ライン、現像 2ライン、エッジリンス、バックリンス、ホットプレート 4セット、クールプレート 1セット 〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
パークシステムズ NX20 〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
日本電子 JSM-6335F 【仕様・特徴】 電界放出型SEM、基板サイズ 小片～4インチ、EDX付 〔設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター〕
光洋サーモシステム MT-10×8-A 【仕様・特徴】サンプルサイズ：小片～8インチ ドライ酸化、ウェット酸化（バブリング） 酸化温度：最大1050℃ [設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター]
EVG EVG810 【仕様・特徴】サンプルサイズ：小片～8インチ、直接接合前のプラズマ活性化処理 [設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター]
自作【仕様・特徴】赤外線ランプ加熱、温度：最高1100℃、水素雰囲気におけるSi表面の平滑化処理など [設置部局：マイクロシステム融合研究開発センター]
〔設置部局：電気通信研究所〕
〔設置部局：電気通信研究所〕
