国立大学法人東北大学研究推進・支援機構 テクニカルサポートセンター 設備・機器利用システム

登録研究設備・機器

種類別

キャンパス別

部局別

研究設備・機器

クリーンルーム内設備・装置

[113] ウェットベンチ(無機用・高清浄)

HNCD-4-SL #1(日立プラント)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[114] ウェットベンチ(無機用・汎用)

HNCD-4-SL #2(日立プラント)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[115] ウェットベンチ(無機用・メタル専用)

HNCD-4-SL #3(日立プラント)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[116] ウェットベンチ(有機用・リソグラフィ)

HNCD(日立プラント)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[117] 特殊型Siウェハ洗浄乾燥装置

200SP(エス・イー・エス)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[118] KrFステッパ

FPA3000-EX3(キヤノン)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[119] コータデベロッパ

Mark8(東京エレクトロン)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[120] アライナー

EMA-400(ユニオン光学)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[121] 中電流イオン注入装置

EXCEED2300AH(日新イオン機器)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[122] 低温拡散炉、水素処理炉

東京エレクトロン BEOL炉(α-8SE)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[123] プラズマ酸化・窒化

RLSA 2B(東京エレクトロン)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[124] LPCVD装置

Formula(東京エレクトロン)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[125] マイクロ波プラズマCVD装置(SiN)

LT-PECVD(東京エレクトロン)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[126] 常圧CVD装置

PYROX-216E(TEMPRESS)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[127] マイクロ波Si・絶縁膜RIE装置

(東京エレクトロン)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[132] 特殊型室温枚葉洗浄装置A

金属薄膜用洗浄装置(リアライズ ・アドバンストテクノロジ)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[133] 特殊型密閉型洗浄装置B

(リアライズ・アドバンストテクノロジ)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[134] 電子ビーム露光装置

CABL-9520CE(クレステック)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[135] RTA装置B

RLA-1208-V(光洋サーモシステム)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[137] 高温熱処理装置(1200℃)

VD-8-300S(V&Hテクノロジーズ)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[142] クラスタスパッタ装置

IZU-2500H(和泉テック)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[143] 汎用酸素ラジカル処理装置

(和泉テック)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[147] オールメタル装置(プラズマ平坦化)

(和泉テック)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[149] 33mmプラズマチャンバー装置(MO)

(和泉テック)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[150] ワイヤーボンダー

〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[151] CMP装置(1)

APD-800X(ARACA)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[152] CMP装置(2)

APD-800X(ARACA)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[154] CMP後洗浄装置

(リアライズ ・アドバンストテクノロジ)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[155] 蛍光X線分析装置(XRF)

SEA1000A(日立ハイテクサイエンス(エスアイアイ・ナノテクノロジー))〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[156] パーティクル検査装置A

WM2500(トプコン)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[157] XRD

X'pert MRD(PANalytical/Spectris)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[158] 分光エリプソメトリー

UVISEL/M200-VIS(堀場製作所)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[159] 低温プローバ

ARK-LIPS(ナガセ電子機器(ナガセテクノエンジニアリング))〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[160] ソーラシミュレータ

WXS-90S-L2(ワコム電創)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[161] FE-SEM

JSM-6700F(日本電子)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[162] 顕微鏡

MX50(オリンパス)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[163] 抵抗率測定器

VR-120S(国際電気アルファ(日立国際電気))〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[165] 段差計

DECTAK(Bruker Nano)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[166] 300mm高周波対応マニュアルプローバ

S300M-973(ベクターセミコン)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[167] マニュアルプローバ cascade 8inch,1/fノイズ計測システム付

SQ-S11861B(Cascade Microtech)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[168] 薄膜密度計

MH4000(NEC三栄)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[169] n&k測定装置

(n&k Technology)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[170] 水銀プローブ

CVmap92A(雄山)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[197] 200mmウェーハ対応原子間力顕微鏡

N9455A(サカタ理化学)〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[243] 超高真空CVD装置 〔リンク〕

エア・ウォーター VCE-S2103TH〔設置部局:工学研究科〕

[245] シリコン酸化皮膜形成用O3・TEOS/CVD装置 〔リンク〕

ユーテック〔設置部局:工学研究科〕

[247] 薄膜形成用プラズマCVD装置 〔リンク〕

サムコ PD-220NL〔設置部局:工学研究科〕

[248] 住友 PECVD 〔リンク〕

住友精密 MPX-CVD 【仕様・特徴】SiN、SiO2、最高温度:350℃、低応力SiN成膜〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[249] マスク露光システム装置 〔リンク〕

SUSS MicroTec MA8 Gen3 Thu1〔設置部局:工学研究科〕

[250] 熱CVD 〔リンク〕

国際電気 【仕様・特徴】Epipoly-Si(non-doped, doped)、Poly-Si(non-doped, doped)、最高温度:1100℃〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[252] DeepRIE装置#1 〔リンク〕

住友精密 MUC-21 【仕様・特徴】Siの深堀エッチング、メカニカルチャック〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[253] 光洋サーモシステム(株)製 ランプアニールシステム 〔リンク〕

光洋サーモシステム RLA-1208-V〔設置部局:工学研究科〕

[257] TEOS PECVD システム 一式 〔リンク〕

サムコ PD-100ST〔設置部局:工学研究科〕

[260] 光洋サーモシステム(株)製 横型システム 一式 〔リンク〕

光洋サーモシステム 272A-M200〔設置部局:工学研究科〕

[278] 芝浦 スパッタ装置 〔リンク〕

芝浦メカトロニクス CFS-4ESII 【仕様・特徴】基板ステージφ200mm、3インチターゲット×3、基板加熱形(最高300℃)〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[284] イオン注入装置 〔リンク〕

アルバック IMX-3500〔設置部局:医工学研究科〕

[287] ドライエッチング装置 〔リンク〕

アルバック NE-550〔設置部局:医工学研究科〕

[303] 高精度絶縁膜スパッタ成膜装置

エイコー ES-250L〔設置部局:流体科学研究所〕

[306] ニュートラルビーム装置

ユーテック 19-052PC-8〔設置部局:流体科学研究所〕

[308] 超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡

日立ハイテクノロジーズ S-5200〔設置部局:流体科学研究所〕

[336] MSEP-PVクラスタ

大亜真空〔設置部局:未来科学技術共同研究センター〕

[341] MOCVD装置 〔リンク〕

ワコム研究所 Doctor-T 【仕様・特徴】PZT成膜等〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[342] EB描画装置 〔リンク〕

エリオニクス ELS-G125S 【仕様・特徴】最大加速電圧:130keV、最小描画パターン:10nm以下〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[344] マイクロX線CT 〔リンク〕

コムスキャンテクノ ScanXmate-D160TS110〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[345] 熱電子SEM 〔リンク〕

日立ハイテクノロジーズ S-3700N型・堀場製作所 EMAX Energy 【仕様・特徴】EDX付、低真空モード付、光学画像ナビゲーション付〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[346] 超音波顕微鏡 〔リンク〕

インサイト IS-350型 S-U 【仕様・特徴】デバイス内部の非破壊検査、ウェハ接合面の欠陥、ボイド評価等〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[343] サーフェイスプレナー 〔リンク〕

ディスコ DAS8920 【仕様・特徴】Au、Cuバンプの平坦化〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[347] ブラシスクラバ 〔リンク〕

全協化成工業 【仕様・特徴】研磨後のウェハ洗浄〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[348] デジタル顕微鏡 〔リンク〕

KEYENCE VHX-1000 【仕様・特徴】パターン観察、デジタル画像保存、電動ステージ(PC制御可)、20~200倍、500~5000倍〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[359] 酸素加圧RTA付高温スパッタ装置 〔リンク〕

ユーテック 21-0604 【仕様・特徴】金属用(DC)スパッタチャンバ、酸化物用(RF)スパッタチャンバ、酸素加圧アニールチャンバの3つの チャンバで構成。最高基板温度は700℃。主にPZT下地成膜、PZT成膜用。〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[360] 両面マスクアライナ 〔リンク〕

SUSS Micro Tec SUSS MA6/BA6 SPEC TOU-2【仕様・特徴】コンタクト露光、片面・両面アライメント、接合時のアライメント〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[361] 多元材料原子層堆積(ALD)装置 〔リンク〕

テクノファイン ALK-600 【仕様・特徴】アルミナ等のALDが可能。6インチウェハまでの導⼊が可能。アルミナ以外は、要原料。〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[362] ME-RIE装置 〔リンク〕

立山マシン TEP-01C1 【仕様・特徴】磁気エンハンスト型RIE装置〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[363] Vapor HFエッチング装置 〔リンク〕

Primaxx uEtch Module TO-α 【仕様・特徴】気相フッ酸による主にSiO2犠牲層エッチング〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[364] 芝浦スパッタ装置(冷却形) 〔リンク〕

芝浦メカトロニクス CFS-4ES-C.T. 【仕様・特徴】基板ステージφ200mm、3インチターゲット×3、基板冷却型〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[385] AFM

アサイラム テクノロジー〔設置部局:工学研究科〕

[402] インラインスパッタリング装置 C3010

〔設置部局:工学研究科〕

[403] マルチスパッタシステム

キヤノンアネルバ〔設置部局:工学研究科〕

[404] スパッタリング装置

月島機械〔設置部局:工学研究科〕

[405] 多元スパッタ装置

旭商会〔設置部局:工学研究科〕

[413] 中性粒子ビームエッチング装置

パナソニックファクトリーソリューションズ E620R&D特型〔設置部局:AIMR〕

[414] ロードロック式DLC中性粒子ビームCVD装置

ユーテック 20-0060〔設置部局:流体科学研究所〕

[415] オンウェハ・プラズマプロセスダメージ予測システム

みずほ情報総研〔設置部局:流体科学研究所〕

[417] パネル式クリーンブース 一式

日本エアーテック PCB02-774522T6〔設置部局:AIMR〕

[420] エッチングチャンバー 〔リンク〕

アズワン PSH1200【仕様・特徴】酸洗浄、ウェットエッチング(Si, SiO2など)〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[421] リン酸槽 〔リンク〕

【仕様・特徴】SiNウェットエッチング〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[422] イナートオーブン(シンター炉) 〔リンク〕

ヤマト科学 DN63H 【仕様・特徴】N2雰囲気中での熱処理、Alシンタリングなど〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[423] 真空オーブン 〔リンク〕

ヤマト科学 DP-31 【仕様・特徴】真空中での熱処理〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[424] スピン乾燥機 〔リンク〕

東邦化成 ZAA-4 【仕様・特徴】平置き式でウェハやフォトマスクの乾燥〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[425] 有機ドラフトチャンバー 〔リンク〕

【仕様・特徴】有機洗浄、レジスト剥離〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[426] 4″スピン乾燥機 〔リンク〕

SEMITOOL PSC101 【仕様・特徴】カセット式で1度に25枚まで処理可能〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[427] 6″スピン乾燥機 〔リンク〕

SEMITOOL PSC101 【仕様・特徴】カセット式で1度に25枚まで処理可能〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[428] パターンジェネレータ 〔リンク〕

日本精工 TZ-310 【仕様・特徴】エマルジョンマスク、Crマスクの作製、最小描画パターン:1µm〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[429] スピンコータ 〔リンク〕

ミカサ 1H-DXII 【仕様・特徴】レジスト等のスピンコーティング〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[430] クリーンオーブン 〔リンク〕

ヤマト科学 DE62 【仕様・特徴】ウェハのベーク〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[431] ポリイミドキュア炉 〔リンク〕

ヤマト科学 DN43H 【仕様・特徴】N2雰囲気中でのポリイミドのキュア〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[432] 片面アライナ 〔リンク〕

キヤノン PLA-501-FA 【仕様・特徴】コンタクト露光、カセットtoカセットで連続処理可能〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[433] Raith EB描画装置 〔リンク〕

Raith 50 【仕様・特徴】最大加速電圧:30keV、最小描画パターン:30nm〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[434] 現像ドラフト 〔リンク〕

【仕様・特徴】レジスト現像用のドラフトチャンバー〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[435] UVキュア装置 〔リンク〕

ウシオ電機 UMA-802 【仕様・特徴】レジストのキュア、カセットtoカセット〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[436] スピンコータ 〔リンク〕

アクテス ASC-4000 【仕様・特徴】レジスト等のスピンコーティング〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[437] スプレー現像装置 〔リンク〕

アクテス ADE-3000S 【仕様・特徴】現像液とリンス(水)をノズルから噴霧〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[438] レーザ描画装置 〔リンク〕

ハイデルベルグ・インストルメンツ DWL2000CE 【仕様・特徴】波長:405nm、最小描画線幅:0.7µm、マスク作製(Cr、エマルジョン)、直接描画、グレイスケール露光〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[439] 球面露光装置 〔リンク〕

東北電子産業 【仕様・特徴】球面体(直径1.0、3.3mm)へのマスクレス露光、最小パターン:1.5µmハーフピッチ、アライ メント精度:±5µm〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[440] 酸化炉 (半導体用) 〔リンク〕

東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】酸化膜形成、半導体ウェハ用〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[441] 酸化炉 (MEMS用) 〔リンク〕

東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】酸化膜形成、MEMSウェハ用〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[442] P拡散炉 〔リンク〕

東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】P拡散(プリデポ用)〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[443] P押し込み炉 〔リンク〕

東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】P拡散(ドライブイン用)〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[444] B拡散炉 〔リンク〕

東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】B拡散(プリデポ用)〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[445] B押し込み炉 〔リンク〕

東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】B拡散(ドライブイン用)〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[446] アニール炉 〔リンク〕

東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】イオン注入後のアニール〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[447] 中電流イオン注入装置 〔リンク〕

日新イオン機器 NH-20SR 【仕様・特徴】最大加速電圧:180keV、最大電流:0.6mA、注入可能元素:P、B、カセットtoカセット〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[448] 高電流イオン注入装置 〔リンク〕

住友イートンノバ NV-10 【仕様・特徴】最大加速電圧:80keV、最大電流:6mA〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[449] ランプアニール装置 〔リンク〕

AG Associates AG4100 【仕様・特徴】最高温度:1100℃、昇温速度:100℃/sec、カセットtoカセット〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[450] メタル拡散炉 〔リンク〕

光洋リンドバーグ Model270 【仕様・特徴】最高温度:1000℃、メタルや圧電基板等の多用途拡散〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[451] LPCVD (SiN) 〔リンク〕

システムサービス 【仕様・特徴】SiN〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[452] LPCVD (Poly-Si) 〔リンク〕

システムサービス 【仕様・特徴】Poly-Si〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[453] LPCVD (SiO2、SiON) 〔リンク〕

システムサービス 【仕様・特徴】SiO2(NSG)、SiON〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[454] W-CVD 〔リンク〕

Applied Materials P-5000 【仕様・特徴】タングステン成膜〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[455] アネルバ スパッタ装置 〔リンク〕

アネルバ SPF-730 【仕様・特徴】1バッチ9枚(4インチ)、8インチターゲット×3〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[456] 電子ビーム蒸着装置 〔リンク〕

アネルバ EVC-1501 【仕様・特徴】主に金属薄膜の蒸着〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[457] ゾルゲル自動成膜装置 〔リンク〕

テクノファイン PZ-604 【仕様・特徴】PZT成膜〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[458] めっき装置 〔リンク〕

山本鍍金試験器 【仕様・特徴】Cu、Ni、Sn、Au〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[459] JPEL PECVD 〔リンク〕

日本生産技術研究所 VDS-5600 【仕様・特徴】SiN、SiO2、バッチ式:4インチ×13枚、6インチ×8枚〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[460] 住友 TEOS PECVD 〔リンク〕

住友精密 MPX-CVD 【仕様・特徴】TEOS SiO2、SiN、最高温度:350℃、低応力SiN成膜〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[461] 自動搬送 芝浦スパッタ装置 〔リンク〕

芝浦メカトロニクス i-Miller CFS-4EP-LL 【仕様・特徴】基板ステージφ220mm、3インチターゲット×4、基板加熱形(最高300℃)、ロードロック付、自動搬送付〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[462] 球面成膜用スパッタ装置 〔リンク〕

"和泉テック 【仕様・特徴】球面体(直径1.0、3.3mm)へのスパッタリング、膜種:Au、Cr、Al、Pd、SiO2他、O2プラズ マクリーニング可"〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[463] DeepRIE装置#2 〔リンク〕

住友精密 MUC-21 【仕様・特徴】Siの深堀エッチング、メカニカルチャック〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[464] DeepRIE装置#3 〔リンク〕

STS 【仕様・特徴】Siの深堀エッチング、メカニカルチャック〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[465] アネルバ RIE装置 〔リンク〕

アネルバ DEA-506 【仕様・特徴】SiN、SiO2のドライエッチング、ガス:CF4、CHF3〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[466] アネルバ Si-RIE装置 〔リンク〕

アネルバ L-507DL 【仕様・特徴】Siのドライエッチング、ガス:SF6〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[467] Al-RIE 〔リンク〕

芝浦エレテック HIRRIE-100 【仕様・特徴】AlやSiのドライエッチング、カセットtoカセット、ガス:Cl2、BCl3〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[468] アルバック アッシング装置 〔リンク〕

アルバック UNA-2000 【仕様・特徴】2.45GHz、カセットtoカセット〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[469] ブランソン アッシング装置 〔リンク〕

ブランソン IPC4000 【仕様・特徴】13.56MHz〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[470] ECRエッチング装置 〔リンク〕

アネルバ ECR6001 【仕様・特徴】GaAs、AlGaNなどの化合物半導体材料のドライエッチング、ガス:Cl2〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[471] アルバック 多用途RIE装置 〔リンク〕

アルバック RIH-1515Z 【仕様・特徴】金属膜や圧電膜も対象とした多目的のドライエッチング、ガス:Cl2、BCl3、SF6、CF4、CHF3、Ar、N2、O2〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[472] KOHエッチング槽 〔リンク〕

【仕様・特徴】Si結晶異方性エッチング〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[473] TMAHエッチング槽 〔リンク〕

【仕様・特徴】Si結晶異方性エッチング〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[474] DeepRIE装置#4 〔リンク〕

住友精密 MUC-21 【仕様・特徴】Siの深堀エッチング、静電チャック、最大8インチ〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[475] イオンミリング装置 〔リンク〕

エヌ・エス/伯東 20IBE-C 【仕様・特徴】Arイオン、4インチ×6枚、6インチ×3枚〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[476] アルバックICP-RIE 〔リンク〕

アルバック NE-550 【仕様・特徴】SiO2などのドライエッチング、静電チャック、ガス:CF4、CHF3、SF6、Ar、O2、N2、(Cl2、BCl3)〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[477] ケミカルドライエッチャー(CDE) 〔リンク〕

芝浦エレテック CDE7 【仕様・特徴】ラジカルによる低ダメージのシリコン等方性ドライエッチング、DRIE後のスキャロップ除去、ガス:CF4、O2、N2〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[478] プラズマクリーナ 〔リンク〕

ヤマト科学 PDC-210 【仕様・特徴】O2またはArによるウェハ表面のプラズマクリーニング、レジストアッシング〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[479] ウェハ接合装置 〔リンク〕

Suss SB6e 【仕様・特徴】陽極接合、金属接合、ポリマー接合〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[480] 東京精密 ダイサ 〔リンク〕

東京精密 【仕様・特徴】切削水:純水〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[482] ワイヤボンダ 〔リンク〕

West Bond 【仕様・特徴】Al、Au〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[483] レーザマーカ 〔リンク〕

GSIルモニクス WM-II 【仕様・特徴】ウェハのマーキング〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[484] 6インチウェハ研磨装置 〔リンク〕

BNテクノロジー Bni62 【仕様・特徴】Si、SiO2、金属などの研磨、CMP〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[485] 4インチウェハ研磨装置 〔リンク〕

BNテクノロジー Bni52 【仕様・特徴】Si、SiO2、金属などの研磨、CMP〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[487] EVG ウェハ接合装置 〔リンク〕

EVG 520 【仕様・特徴】熱圧着接合用〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[488] EVG ウェハ接合用アライナ 〔リンク〕

EVG Smart View Aligner 【仕様・特徴】IR透過アライメント可能〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[489] UVインプリント装置 〔リンク〕

東芝機械 ST-50 【仕様・特徴】UV光を用いたインプリント装置、ステップ&リピート可能〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[490] 熱インプリント装置 〔リンク〕

オリジン電気 Reprina-T50A 【仕様・特徴】最大650℃、最大30kN〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[491] エキシマ洗浄装置 〔リンク〕

デアネヒステ EXC-1201-DN 【仕様・特徴】ウェハや石英モールド上の有機物の除去〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[493] ウェハゴミ検査装置 〔リンク〕

トプコン WM-3 【仕様・特徴】ウェハ上のパーティクル測定(数、大きさ)〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[494] 膜厚計 〔リンク〕

ナノメトリクス NanoSpec3000 【仕様・特徴】光学式の膜厚測定〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[495] Dektak 段差計 〔リンク〕

Dektak Dektak 8 【仕様・特徴】触針式の表面形状測定〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[496] Tenchor 段差計 〔リンク〕

Tenchor AlphaStep 500 【仕様・特徴】触針式の表面形状測定〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[497] 深さ測定装置 〔リンク〕

ユニオン光学 Hisomet 【仕様・特徴】光学式の非接触深さ測定装置〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[498] 4探針測定装置 〔リンク〕

ナノメトリクス NanoSpec3000 【仕様・特徴】ウェハ抵抗率などの測定〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[499] 拡がり抵抗測定装置 〔リンク〕

Solid State Measurements SSM150 【仕様・特徴】不純物濃度プロファイルの測定、ウェハを小片にして端面を斜め研磨した後に測定〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[500] ウェハプローバ 〔リンク〕

東京精密 EM-20A 【仕様・特徴】デバイスの電気特性測定〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[501] 金属顕微鏡 〔リンク〕

ニコン L150 【仕様・特徴】パターン観察〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[502] FE-SEM 〔リンク〕

日立ハイテクノロジーズ S5000 【仕様・特徴】小片専用、インレンズ式の高分解能FESEM〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[503] エリプソ 〔リンク〕

アルバック 【仕様・特徴】薄膜の厚さ、屈折率測定〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[504] 赤外線顕微鏡 〔リンク〕

オリンパス/浜松ホトニクス 【仕様・特徴】両面アライメントの確認、ウェハ接合面のボイド評価等〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[505] 四重極質量分析装置 〔リンク〕

キヤノンアネルバ M-101QA-TDM 【仕様・特徴】プロセス中の残留ガスのモニタ等〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[506] TOF-SIMS 〔リンク〕

CAMECA TOF SIMS IV 【仕様・特徴】二次イオン質量分析装置、深さ方向の微量元素分析〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[507] クイックコータ 〔リンク〕

サンユー電子 SC-701MkII 【仕様・特徴】SEM観察試料のPtコーティング〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[508] 卓上型エリプソ 〔リンク〕

フォトニックラティス SE-101 【仕様・特徴】高速サンプリング可能なエリプソ〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[509] 大口径AFM 〔リンク〕

Digital Instruments Dimension 3100 【仕様・特徴】大口径ウェハにも対応するAFM〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[510] レーザ/白色光共焦点顕微鏡 〔リンク〕

レーザーテック OPTELICS HYBRID LS-SD 【仕様・特徴】3次元表面形状測定、DeepRIEのエッチ深さ測定、レーザ光/白色の切替可能、共焦点/非共焦点の切替可能〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[511] 直線集束ビーム超音波材料解析システム#1 〔リンク〕

【仕様・特徴】固体試料の漏洩弾性表面波(LSAW)速度測定〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

[512] 直線集束ビーム超音波材料解析システム#2 〔リンク〕

【仕様・特徴】固体試料のバルク波(縦波、横波)音速測定〔設置部局:マイクロシステム融合研究開発センター〕

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