国立大学法人東北大学研究推進・支援機構 テクニカルサポートセンター 設備・機器利用システム

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研究設備・機器

[250] 熱CVD 〔リンク〕

仕様・形式について

国際電気 【仕様・特徴】Epipoly-Si(non-doped, doped)、Poly-Si(non-doped, doped)、最高温度:1100℃


[250] 熱CVD  〔リンク〕 画像

受付窓口

備考

本設備・装置の利用申込は、「ナノテク融合技術支援センター(CINTS)」からお願いいたします。上記受付窓口リンクページをご確認ください。

設置キャンパス

その他 マイクロシステム融合研究開発センター西澤センター研究棟2階
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[250] 熱CVD  〔リンク〕 所在地マップ
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