国立大学法人東北大学研究推進・支援機構 テクニカルサポートセンター 設備・機器利用システム

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研究設備・機器

マイクロシステム融合研究開発センター

[248] 住友 PECVD 〔リンク〕

住友精密 MPX-CVD 【仕様・特徴】SiN、SiO2、最高温度:350℃、低応力SiN成膜

[250] 熱CVD 〔リンク〕

国際電気 【仕様・特徴】Epipoly-Si(non-doped, doped)、Poly-Si(non-doped, doped)、最高温度:1100℃

[252] DeepRIE装置#1 〔リンク〕

住友精密 MUC-21 【仕様・特徴】Siの深堀エッチング、メカニカルチャック

[278] 芝浦 スパッタ装置 〔リンク〕

芝浦メカトロニクス CFS-4ESII 【仕様・特徴】基板ステージφ200mm、3インチターゲット×3、基板加熱形(最高300℃)

[341] MOCVD装置 〔リンク〕

ワコム研究所 Doctor-T 【仕様・特徴】PZT成膜等

[342] EB描画装置 〔リンク〕

エリオニクス ELS-G125S 【仕様・特徴】最大加速電圧:130keV、最小描画パターン:10nm以下

[344] マイクロX線CT 〔リンク〕

コムスキャンテクノ ScanXmate-D160TS110

[345] 熱電子SEM 〔リンク〕

日立ハイテクノロジーズ S-3700N型・堀場製作所 EMAX Energy 【仕様・特徴】EDX付、低真空モード付、光学画像ナビゲーション付

[346] 超音波顕微鏡 〔リンク〕

インサイト IS-350型 S-U 【仕様・特徴】デバイス内部の非破壊検査、ウェハ接合面の欠陥、ボイド評価等

[343] サーフェイスプレナー 〔リンク〕

ディスコ DAS8920 【仕様・特徴】Au、Cuバンプの平坦化

[347] ブラシスクラバ 〔リンク〕

全協化成工業 【仕様・特徴】研磨後のウェハ洗浄

[348] デジタル顕微鏡 〔リンク〕

KEYENCE VHX-1000 【仕様・特徴】パターン観察、デジタル画像保存、電動ステージ(PC制御可)、20~200倍、500~5000倍

[359] 酸素加圧RTA付高温スパッタ装置 〔リンク〕

ユーテック 21-0604 【仕様・特徴】金属用(DC)スパッタチャンバ、酸化物用(RF)スパッタチャンバ、酸素加圧アニールチャンバの3つの チャンバで構成。最高基板温度は700℃。主にPZT下地成膜、PZT成膜用。

[360] 両面マスクアライナ 〔リンク〕

SUSS Micro Tec SUSS MA6/BA6 SPEC TOU-2【仕様・特徴】コンタクト露光、片面・両面アライメント、接合時のアライメント

[361] 多元材料原子層堆積(ALD)装置 〔リンク〕

テクノファイン ALK-600 【仕様・特徴】アルミナ等のALDが可能。6インチウェハまでの導⼊が可能。アルミナ以外は、要原料。

[362] ME-RIE装置 〔リンク〕

立山マシン TEP-01C1 【仕様・特徴】磁気エンハンスト型RIE装置

[363] Vapor HFエッチング装置 〔リンク〕

Primaxx uEtch Module TO-α 【仕様・特徴】気相フッ酸による主にSiO2犠牲層エッチング

[364] 芝浦スパッタ装置(冷却形) 〔リンク〕

芝浦メカトロニクス CFS-4ES-C.T. 【仕様・特徴】基板ステージφ200mm、3インチターゲット×3、基板冷却型

[420] エッチングチャンバー 〔リンク〕

アズワン PSH1200【仕様・特徴】酸洗浄、ウェットエッチング(Si, SiO2など)

[421] リン酸槽 〔リンク〕

【仕様・特徴】SiNウェットエッチング

[422] イナートオーブン(シンター炉) 〔リンク〕

ヤマト科学 DN63H 【仕様・特徴】N2雰囲気中での熱処理、Alシンタリングなど

[423] 真空オーブン 〔リンク〕

ヤマト科学 DP-31 【仕様・特徴】真空中での熱処理

[424] スピン乾燥機 〔リンク〕

東邦化成 ZAA-4 【仕様・特徴】平置き式でウェハやフォトマスクの乾燥

[425] 有機ドラフトチャンバー 〔リンク〕

【仕様・特徴】有機洗浄、レジスト剥離

[426] 4″スピン乾燥機 〔リンク〕

SEMITOOL PSC101 【仕様・特徴】カセット式で1度に25枚まで処理可能

[427] 6″スピン乾燥機 〔リンク〕

SEMITOOL PSC101 【仕様・特徴】カセット式で1度に25枚まで処理可能

[428] パターンジェネレータ 〔リンク〕

日本精工 TZ-310 【仕様・特徴】エマルジョンマスク、Crマスクの作製、最小描画パターン:1µm

[429] スピンコータ 〔リンク〕

ミカサ 1H-DXII 【仕様・特徴】レジスト等のスピンコーティング

[430] クリーンオーブン 〔リンク〕

ヤマト科学 DE62 【仕様・特徴】ウェハのベーク

[431] ポリイミドキュア炉 〔リンク〕

ヤマト科学 DN43H 【仕様・特徴】N2雰囲気中でのポリイミドのキュア

[432] 片面アライナ 〔リンク〕

キヤノン PLA-501-FA 【仕様・特徴】コンタクト露光、カセットtoカセットで連続処理可能

[433] Raith EB描画装置 〔リンク〕

Raith 50 【仕様・特徴】最大加速電圧:30keV、最小描画パターン:30nm

[434] 現像ドラフト 〔リンク〕

【仕様・特徴】レジスト現像用のドラフトチャンバー

[435] UVキュア装置 〔リンク〕

ウシオ電機 UMA-802 【仕様・特徴】レジストのキュア、カセットtoカセット

[436] スピンコータ 〔リンク〕

アクテス ASC-4000 【仕様・特徴】レジスト等のスピンコーティング

[437] スプレー現像装置 〔リンク〕

アクテス ADE-3000S 【仕様・特徴】現像液とリンス(水)をノズルから噴霧

[438] レーザ描画装置 〔リンク〕

ハイデルベルグ・インストルメンツ DWL2000CE 【仕様・特徴】波長:405nm、最小描画線幅:0.7µm、マスク作製(Cr、エマルジョン)、直接描画、グレイスケール露光

[439] 球面露光装置 〔リンク〕

東北電子産業 【仕様・特徴】球面体(直径1.0、3.3mm)へのマスクレス露光、最小パターン:1.5µmハーフピッチ、アライ メント精度:±5µm

[440] 酸化炉 (半導体用) 〔リンク〕

東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】酸化膜形成、半導体ウェハ用

[441] 酸化炉 (MEMS用) 〔リンク〕

東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】酸化膜形成、MEMSウェハ用

[442] P拡散炉 〔リンク〕

東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】P拡散(プリデポ用)

[443] P押し込み炉 〔リンク〕

東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】P拡散(ドライブイン用)

[444] B拡散炉 〔リンク〕

東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】B拡散(プリデポ用)

[445] B押し込み炉 〔リンク〕

東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】B拡散(ドライブイン用)

[446] アニール炉 〔リンク〕

東京エレクトロン XL-7 【仕様・特徴】イオン注入後のアニール

[447] 中電流イオン注入装置 〔リンク〕

日新イオン機器 NH-20SR 【仕様・特徴】最大加速電圧:180keV、最大電流:0.6mA、注入可能元素:P、B、カセットtoカセット

[448] 高電流イオン注入装置 〔リンク〕

住友イートンノバ NV-10 【仕様・特徴】最大加速電圧:80keV、最大電流:6mA

[449] ランプアニール装置 〔リンク〕

AG Associates AG4100 【仕様・特徴】最高温度:1100℃、昇温速度:100℃/sec、カセットtoカセット

[450] メタル拡散炉 〔リンク〕

光洋リンドバーグ Model270 【仕様・特徴】最高温度:1000℃、メタルや圧電基板等の多用途拡散

[451] LPCVD (SiN) 〔リンク〕

システムサービス 【仕様・特徴】SiN

[452] LPCVD (Poly-Si) 〔リンク〕

システムサービス 【仕様・特徴】Poly-Si

[453] LPCVD (SiO2、SiON) 〔リンク〕

システムサービス 【仕様・特徴】SiO2(NSG)、SiON

[454] W-CVD 〔リンク〕

Applied Materials P-5000 【仕様・特徴】タングステン成膜

[455] アネルバ スパッタ装置 〔リンク〕

アネルバ SPF-730 【仕様・特徴】1バッチ9枚(4インチ)、8インチターゲット×3

[456] 電子ビーム蒸着装置 〔リンク〕

アネルバ EVC-1501 【仕様・特徴】主に金属薄膜の蒸着

[457] ゾルゲル自動成膜装置 〔リンク〕

テクノファイン PZ-604 【仕様・特徴】PZT成膜

[458] めっき装置 〔リンク〕

山本鍍金試験器 【仕様・特徴】Cu、Ni、Sn、Au

[459] JPEL PECVD 〔リンク〕

日本生産技術研究所 VDS-5600 【仕様・特徴】SiN、SiO2、バッチ式:4インチ×13枚、6インチ×8枚

[460] 住友 TEOS PECVD 〔リンク〕

住友精密 MPX-CVD 【仕様・特徴】TEOS SiO2、SiN、最高温度:350℃、低応力SiN成膜

[461] 自動搬送 芝浦スパッタ装置 〔リンク〕

芝浦メカトロニクス i-Miller CFS-4EP-LL 【仕様・特徴】基板ステージφ220mm、3インチターゲット×4、基板加熱形(最高300℃)、ロードロック付、自動搬送付

[462] 球面成膜用スパッタ装置 〔リンク〕

"和泉テック 【仕様・特徴】球面体(直径1.0、3.3mm)へのスパッタリング、膜種:Au、Cr、Al、Pd、SiO2他、O2プラズ マクリーニング可"

[463] DeepRIE装置#2 〔リンク〕

住友精密 MUC-21 【仕様・特徴】Siの深堀エッチング、メカニカルチャック

[464] DeepRIE装置#3 〔リンク〕

STS 【仕様・特徴】Siの深堀エッチング、メカニカルチャック

[465] アネルバ RIE装置 〔リンク〕

アネルバ DEA-506 【仕様・特徴】SiN、SiO2のドライエッチング、ガス:CF4、CHF3

[466] アネルバ Si-RIE装置 〔リンク〕

アネルバ L-507DL 【仕様・特徴】Siのドライエッチング、ガス:SF6

[467] Al-RIE 〔リンク〕

芝浦エレテック HIRRIE-100 【仕様・特徴】AlやSiのドライエッチング、カセットtoカセット、ガス:Cl2、BCl3

[468] アルバック アッシング装置 〔リンク〕

アルバック UNA-2000 【仕様・特徴】2.45GHz、カセットtoカセット

[469] ブランソン アッシング装置 〔リンク〕

ブランソン IPC4000 【仕様・特徴】13.56MHz

[470] ECRエッチング装置 〔リンク〕

アネルバ ECR6001 【仕様・特徴】GaAs、AlGaNなどの化合物半導体材料のドライエッチング、ガス:Cl2

[471] アルバック 多用途RIE装置 〔リンク〕

アルバック RIH-1515Z 【仕様・特徴】金属膜や圧電膜も対象とした多目的のドライエッチング、ガス:Cl2、BCl3、SF6、CF4、CHF3、Ar、N2、O2

[472] KOHエッチング槽 〔リンク〕

【仕様・特徴】Si結晶異方性エッチング

[473] TMAHエッチング槽 〔リンク〕

【仕様・特徴】Si結晶異方性エッチング

[474] DeepRIE装置#4 〔リンク〕

住友精密 MUC-21 【仕様・特徴】Siの深堀エッチング、静電チャック、最大8インチ

[475] イオンミリング装置 〔リンク〕

エヌ・エス/伯東 20IBE-C 【仕様・特徴】Arイオン、4インチ×6枚、6インチ×3枚

[476] アルバックICP-RIE 〔リンク〕

アルバック NE-550 【仕様・特徴】SiO2などのドライエッチング、静電チャック、ガス:CF4、CHF3、SF6、Ar、O2、N2、(Cl2、BCl3)

[477] ケミカルドライエッチャー(CDE) 〔リンク〕

芝浦エレテック CDE7 【仕様・特徴】ラジカルによる低ダメージのシリコン等方性ドライエッチング、DRIE後のスキャロップ除去、ガス:CF4、O2、N2

[478] プラズマクリーナ 〔リンク〕

ヤマト科学 PDC-210 【仕様・特徴】O2またはArによるウェハ表面のプラズマクリーニング、レジストアッシング

[479] ウェハ接合装置 〔リンク〕

Suss SB6e 【仕様・特徴】陽極接合、金属接合、ポリマー接合

[480] 東京精密 ダイサ 〔リンク〕

東京精密 【仕様・特徴】切削水:純水

[481] ディスコ ダイサ 〔リンク〕

ディスコ DAD522 【仕様・特徴】切削水:水道水

[482] ワイヤボンダ 〔リンク〕

West Bond 【仕様・特徴】Al、Au

[483] レーザマーカ 〔リンク〕

GSIルモニクス WM-II 【仕様・特徴】ウェハのマーキング

[484] 6インチウェハ研磨装置 〔リンク〕

BNテクノロジー Bni62 【仕様・特徴】Si、SiO2、金属などの研磨、CMP

[485] 4インチウェハ研磨装置 〔リンク〕

BNテクノロジー Bni52 【仕様・特徴】Si、SiO2、金属などの研磨、CMP

[486] サンドブラスト 〔リンク〕

新東 【仕様・特徴】ガラスの穴あけ加工

[487] EVG ウェハ接合装置 〔リンク〕

EVG 520 【仕様・特徴】熱圧着接合用

[488] EVG ウェハ接合用アライナ 〔リンク〕

EVG Smart View Aligner 【仕様・特徴】IR透過アライメント可能

[489] UVインプリント装置 〔リンク〕

東芝機械 ST-50 【仕様・特徴】UV光を用いたインプリント装置、ステップ&リピート可能

[490] 熱インプリント装置 〔リンク〕

オリジン電気 Reprina-T50A 【仕様・特徴】最大650℃、最大30kN

[491] エキシマ洗浄装置 〔リンク〕

デアネヒステ EXC-1201-DN 【仕様・特徴】ウェハや石英モールド上の有機物の除去

[492] ウォーターレーザ 〔リンク〕

澁谷工業 LAMICS AQL-1900 【仕様・特徴】シリコンウェハや金属薄板の加工(ガラスなどの透明材料はNG)、最小加工線幅:約70μm

[493] ウェハゴミ検査装置 〔リンク〕

トプコン WM-3 【仕様・特徴】ウェハ上のパーティクル測定(数、大きさ)

[494] 膜厚計 〔リンク〕

ナノメトリクス NanoSpec3000 【仕様・特徴】光学式の膜厚測定

[495] Dektak 段差計 〔リンク〕

Dektak Dektak 8 【仕様・特徴】触針式の表面形状測定

[496] Tenchor 段差計 〔リンク〕

Tenchor AlphaStep 500 【仕様・特徴】触針式の表面形状測定

[497] 深さ測定装置 〔リンク〕

ユニオン光学 Hisomet 【仕様・特徴】光学式の非接触深さ測定装置

[498] 4探針測定装置 〔リンク〕

ナノメトリクス NanoSpec3000 【仕様・特徴】ウェハ抵抗率などの測定

[499] 拡がり抵抗測定装置 〔リンク〕

Solid State Measurements SSM150 【仕様・特徴】不純物濃度プロファイルの測定、ウェハを小片にして端面を斜め研磨した後に測定

[500] ウェハプローバ 〔リンク〕

東京精密 EM-20A 【仕様・特徴】デバイスの電気特性測定

[501] 金属顕微鏡 〔リンク〕

ニコン L150 【仕様・特徴】パターン観察

[502] FE-SEM 〔リンク〕

日立ハイテクノロジーズ S5000 【仕様・特徴】小片専用、インレンズ式の高分解能FESEM

[503] エリプソ 〔リンク〕

アルバック 【仕様・特徴】薄膜の厚さ、屈折率測定

[504] 赤外線顕微鏡 〔リンク〕

オリンパス/浜松ホトニクス 【仕様・特徴】両面アライメントの確認、ウェハ接合面のボイド評価等

[505] 四重極質量分析装置 〔リンク〕

キヤノンアネルバ M-101QA-TDM 【仕様・特徴】プロセス中の残留ガスのモニタ等

[506] TOF-SIMS 〔リンク〕

CAMECA TOF SIMS IV 【仕様・特徴】二次イオン質量分析装置、深さ方向の微量元素分析

[507] クイックコータ 〔リンク〕

サンユー電子 SC-701MkII 【仕様・特徴】SEM観察試料のPtコーティング

[508] 卓上型エリプソ 〔リンク〕

フォトニックラティス SE-101 【仕様・特徴】高速サンプリング可能なエリプソ

[509] 大口径AFM 〔リンク〕

Digital Instruments Dimension 3100 【仕様・特徴】大口径ウェハにも対応するAFM

[510] レーザ/白色光共焦点顕微鏡 〔リンク〕

レーザーテック OPTELICS HYBRID LS-SD 【仕様・特徴】3次元表面形状測定、DeepRIEのエッチ深さ測定、レーザ光/白色の切替可能、共焦点/非共焦点の切替可能

[511] 直線集束ビーム超音波材料解析システム#1 〔リンク〕

【仕様・特徴】固体試料の漏洩弾性表面波(LSAW)速度測定

[512] 直線集束ビーム超音波材料解析システム#2 〔リンク〕

【仕様・特徴】固体試料のバルク波(縦波、横波)音速測定

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